3μm MCT 中紅外非制冷光電探測(cè)器 2.5-6.5μm HgCdTe器件在λ_opt時(shí)達(dá)到好性能。波長分割可根據(jù)需求進(jìn)行優(yōu)化。反向偏置電壓可以在顯著提高響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍的同時(shí)提高高頻下的性能，但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲在低頻下可能會(huì)降低探測(cè)器的性能。

產(chǎn)品型號(hào)：

更新時(shí)間：2024-12-04

廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商

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產(chǎn)品咨詢 18602170419

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產(chǎn)品分類

光電探測(cè)器

探測(cè)器芯片超快光電探測(cè)器/EOT 單光子探測(cè)器/計(jì)數(shù)器光電倍增管其他光電探測(cè)器 Ge鍺光電探測(cè)器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測(cè)器 Si硅光電探測(cè)器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測(cè)器 MCT碲鎘汞探測(cè)器

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品牌	其他品牌	產(chǎn)地類別	進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域	化工,能源,建材/家具,電子/電池

PV系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非制冷紅外光電探測(cè)器，具有好的性能和穩(wěn)定性。器件在λ_opt時(shí)達(dá)到好性能。波長分割可根據(jù)需求進(jìn)行優(yōu)化。反向偏置電壓可以在顯著提高響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍的同時(shí)提高高頻下的性能，但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲在低頻下可能會(huì)降低探測(cè)器的性能。

產(chǎn)品特點(diǎn)

● 可探測(cè)中紅外光波范圍2.5-6.5μm

● 可配專用前置放大器

● 提供TO39與BNC兩種封裝形式

封裝及尺寸

BNC型封裝及尺寸

參量	數(shù)值
光敏面積AO；mm×mm	0.05×0.05-0.1×0.1
孔徑C,mm	Φ4
接收角度Φ	~102°

TO39型封裝及尺寸

TO39-引腳定義

引腳定義
功能	引腳號(hào)
探測(cè)器	1 , 2
接地	3

產(chǎn)品應(yīng)用

● 醫(yī)學(xué)熱成像

● 紅外光譜分析

● 中紅外氣體吸收檢測(cè)

● 中紅外激光探測(cè)

技術(shù)參數(shù)

參數(shù)	探測(cè)器型號(hào)
	PV-3		PV-3.4		PV-4		PV-5		PV-6
有源元件材料	外延MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)
最佳波長λopt（μm）	3		3.4		4		5		6
相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λpeak),cm·Hz1/2/W	≥8.0×109		≥7.0×109		≥5.0×109		≥2.0×109		≥1.0×109
相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λopt),cm·Hz1/2/W	≥6.5×109		≥5.0×109		≥3.0×109		≥1.0×109		≥5.0×108
電流響應(yīng)度Ri(λopt),A/W	≥0.5		≥0.8		≥1.0		≥1.0		≥1.0
時(shí)間常數(shù)T，ns	≤350		≤260		≤150		≤120		≤180
電阻×光敏面面積R·A,Ω?cm^2	≥1		≥0.5		≥0.1		≥0.01		≥0.002
感光面尺寸A,mm×mm	0.05×0.05，0.1×0.1
封裝	TO39	BNC	TO39	BNC	TO39	BNC	TO39	BNC	TO39	BNC
接收角?	～90°	～102°	～90°	～102°	～90°	～102°	～90°	～102°	～90°	～102°
窗口	無